首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4717篇
  免费   443篇
  国内免费   587篇
电工技术   125篇
综合类   196篇
化学工业   1830篇
金属工艺   971篇
机械仪表   262篇
建筑科学   16篇
矿业工程   77篇
能源动力   39篇
轻工业   22篇
水利工程   4篇
石油天然气   7篇
武器工业   61篇
无线电   551篇
一般工业技术   1310篇
冶金工业   184篇
原子能技术   64篇
自动化技术   28篇
  2024年   14篇
  2023年   163篇
  2022年   224篇
  2021年   241篇
  2020年   200篇
  2019年   196篇
  2018年   194篇
  2017年   212篇
  2016年   196篇
  2015年   103篇
  2014年   193篇
  2013年   201篇
  2012年   224篇
  2011年   317篇
  2010年   200篇
  2009年   308篇
  2008年   230篇
  2007年   326篇
  2006年   287篇
  2005年   202篇
  2004年   183篇
  2003年   149篇
  2002年   182篇
  2001年   193篇
  2000年   146篇
  1999年   110篇
  1998年   96篇
  1997年   71篇
  1996年   73篇
  1995年   64篇
  1994年   53篇
  1993年   41篇
  1992年   48篇
  1991年   32篇
  1990年   31篇
  1989年   27篇
  1988年   4篇
  1987年   3篇
  1986年   3篇
  1984年   1篇
  1981年   2篇
  1979年   1篇
  1976年   1篇
  1959年   2篇
排序方式: 共有5747条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
本通过对我国近年引进的大型水轮发电机组灭磁装置运行与实验情况的研究,认为有的引进设备无论设计参数的选择还是自身可靠性方面或多或少地存在一些问题,应给以足够重视,在总结的基础上提出解决机组灭磁可靠性的技术方向。  相似文献   
102.
研究了热压AlN-SiCw复合材料在1200~1400℃的氧化行为,分析了晶须掺量对复合材料氧化产物、氧化过程的影响。结果表明,复合材料的氧化产物为Al2O3、Mulite、铝硅酸盐玻璃相。在1200~1400℃范围内,复合材料的氧化符合抛物线规律。晶须掺量的变化对复合材料的氧化并无显著影响。  相似文献   
103.
炭/炭复合材料MoSi2/SiC抗氧化涂层的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用包埋法制备C/C复合材料抗氧化MoSi2/SiC梯度涂层,同时对抗氧化涂层的形成、组织结构以及抗氧化性能与渗料的关系和抗氧化机理进行了研究。结果表明:采用包埋法制备的C/C复合材料抗氧化MoSi2/SiC梯度涂层致密,但有少量裂纹,涂层有良好的抗氧化效果。当硅与SiC保持一定的比例,渗料中MoSi2的含量为50%时,涂层具有最好的抗氧化效果;当MoSi2与SiC保持一定的比例,渗料中硅的含量为20%时,涂层具有最好的抗氧化效果。  相似文献   
104.
三维网络SiC/Cu金属基复合材料的凝固显微组织   总被引:6,自引:0,他引:6  
用挤压铸造法制备了三维网络SiC/Cu金属基复合材料,研究了铸造压力、网络SiC骨架预热温度、浇注温度等工艺条件对复合材料凝固显微组织的影响.结果表明,三维网络SiC陶瓷骨架在晶体生长和结晶过程中有重要作用,在一定条件下在网孔内可形成垂直于骨架表面的枝晶网络,或形成粒度细小且分布均匀的等轴晶组织;骨架的孔径对显微组织的影响也很大,细小的孔径有利于晶粒细化和组织均匀化,粗大的孔径助长宏观偏析和铅的偏聚.骨架减轻了复合材料中锡的反常偏析,使锡的偏析主要发生在骨架表面附近的微小区域,从而避免了在铸件表层的集中偏析.  相似文献   
105.
定向BaTiO3晶须/PVDF压电复合材料的制备及性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以高度定向的BaTiO3晶须作为活性相、聚偏氟乙烯(PVDF)作为基体制备了压电复合材料,研究了该复合材料的介电和电学性能,研究结果表明,以BaTiO3作为活性相的晶须复合材料与粉末复合材料相比,其介电常数(ε)、压电常数(d33)和剩余极化率(Pr)大大提高,而其损耗因子(tanδ)具有相反的趋势,对晶须复合材料,沿晶须定向方向的ε、d33和Pr的值比晶须平行方向要高得多,分析了产生这些差别的原因。  相似文献   
106.
SiCP增强泡沫铝基复合材料制备工艺及润湿性研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
对采用熔体发泡法直接制备碳化硅颗粒增强泡沫铝基复合材料进行了探索,讨论了制备过程中SiCp与铝液间的润湿性、发泡工艺参数与温度控制等对制备工艺的影喻。表明该工艺简单,易于操作,不需任何增粘措施,处理后的SiCp浸润性好且分布均匀,孔洞分布均匀。  相似文献   
107.
SiC whiskers with ″rosary bead″ morphology were synthesized using suitable silicon source and carbon source through solid reaction at the temperature above 1537 K. The diameter and length of the SiC whiskers were about 0.1-1.0 μm and 20-100 μm,respectively. The largest diameter of their enlarged ends of the whiskers was about 0.2-1.0 μm, and it gradually and smoothly decreased to the size of the plain part of the whiskers. The results of X-ray diffraction analysis show that the crystalline structure of the obtained SiC whiskers is β-SiC. It is considered that the SiC whiskers grow via a vapor-solid mechanism.  相似文献   
108.
The composition, microstructures and properties of SiC/Al2O3/Al-Si composites formed by reactive penetration of the molten aluminum into the preforms of SiO2 and SiC were investigated. The composition of the composites was measured by X-ray diffraction ( XRD ). The microstructures of the composites were also measured by scanning electron microscopy (SEM) and optical microscopy. In addition, the factors affecting the properties of the composites were discussed. The experiments show that the mechanical properties of the composites depend on their relative densities and the sizes of the fillers“ SiC gains“. The denser the SiC/Al2O3/Al-Si composites, the higher their bending strength. As the filler “SiC gains“ become fine, the bending strength of the composites increases.  相似文献   
109.
SiCp/Al复合材料制备工艺对组织与性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用高能球磨粉末冶金法制备了体积分数为15%SiCp/2009Al复合材料,研究了球磨转速、球磨时间对复合材料组织和性能的影响。结果表明,球磨转速和球磨时间是影响复合材料力学性能的重要因素,较长时间高转速球磨使得SiC颗粒均匀分布,转速190r/min、球磨6h制备的复合粉末经真空热压、挤压后的复合材料SiC颗粒均匀分布,材料的抗拉强度高达650MPa,伸长率大于5%。  相似文献   
110.
王帅  詹天霞  冯晔  陈辉明 《机电工程》2017,34(6):680-684
针对电流型逆变器桥臂并联扩容时开关损耗较大的问题,对SiC肖特基二极管和Si快恢复二极管的正反向恢复特性、MOSFET并联均流特性以及容性状态下电流型逆变器工作过程进行了研究。提出了在电流型逆变器中用SiC肖特基二极管代替Si快恢复二极管以实现保持逆变器良好并联均流效果的同时降低逆变器损耗。分别搭建了基于Si快恢复二极管和SiC肖特基二极管的电流型逆变器实验平台以对比验证SiC肖特基二极管在系统扩容应用中实际效果。研究结果表明,在电流型逆变器中使用SiC肖特基二极管可以极大地降低逆变器损耗同时保持逆变器良好的均流效果,提高逆变器效率。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号